Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件 金属化空洞应力试验 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 26071-2018 | 太阳能电池用硅单晶片 | 废止 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |