Discrete semiconductor devices and integrated circuits--Part 5-2:Optoelectronic devices--Essential ratings and characteristics
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 11499-2001 | 半导体分立器件文字符号 | 现行 | 2002-06-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-12-01 | 找相似 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2013-06-01 | 找相似 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2024-04-01 | 找相似 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 12560-1999 | 半导体器件分立器件分规范 | 现行 | 2000-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 10149-1991 | 电子元器件图形库 半导体分立器件图形 | 现行 | 1991-07-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1994-06-01 | 找相似 |