Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2023-05-01 | 找相似 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 找相似 |
| GB/T 41325-2022 | 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 29508-2013 | 300mm 硅单晶切割片和磨削片 | 现行 | 2014-02-01 | 找相似 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-08-01 | 找相似 |
| GB/T 30656-2023 | 碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2023-10-01 | 找相似 |
| GB/T 29506-2013 | 300mm 硅单晶抛光片 | 现行 | 2014-02-01 | 找相似 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-09-26 | —— |
| T/NXCL 30-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶 | 现行 | 2024-02-06 | —— |
| T/NXCL 29-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2024-02-06 | —— |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） | 现行 | 2025-05-14 | —— |
| T/CASAS 048-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 现行 | 2025-04-23 | —— |
| T/NXCL 017-2022 | 300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-12-02 | —— |
| T/NXCL 016-2022 | 200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-12-02 | —— |
| T/ZZB 2675-2022 | TVS用硅单晶研磨片 | 现行 | 2022-05-13 | —— |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-24 | —— |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-23 | —— |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-22 | —— |