| T/QGCML 3970-2024 | 半导体车间金属粉尘智能检测分析系统 | 现行 | 2024-04-11 | —— |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| T/CASAS 017-2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 现行 | 2021-12-01 | —— |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2020-01-28 | —— |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件 金属化空洞应力试验 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2020-01-28 | —— |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2026-07-01 | 找相似 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 找相似 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| YD/T 1312.17-2023 | 无线通信设备电磁兼容性要求和测量方法 第17部分：甚低功率活性医用植入设备以及相关外围设备 | 现行 | 2024-04-01 | 找相似 |