| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
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| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
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| GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 | 废止 | 1993-10-01 | 找相似 |
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| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2015-09-01 | 找相似 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-31 | —— |
| T/CNIA 0061-2020 | 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2020-08-01 | —— |