| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-10-01 | 找相似 |
| SJ/T 11275-2002 | 卧式液相外延系统通用规范 | 现行 | 2003-03-01 | 找相似 |
| GB/T 35308-2017 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-09-01 | 找相似 |
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2015-04-01 | 找相似 |
| GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | 现行 | 2015-04-01 | 找相似 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2026-02-01 | 找相似 |
| GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | 现行 | 2019-07-01 | 找相似 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-07-01 | —— |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-31 | —— |