| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43885-2024 | 碳化硅外延片 | 现行 | 2024-11-01 | 找相似 |
| GB/T 14847-2010 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 废止 | 2011-10-01 | 找相似 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2013-10-01 | 找相似 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-10-01 | 找相似 |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
| YS/T 23-2016 | 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 | 现行 | 2016-09-01 | 找相似 |
| GB/T 35308-2017 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-09-01 | 找相似 |
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2015-04-01 | 找相似 |
| GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | 现行 | 2015-04-01 | 找相似 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2026-02-01 | 找相似 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 36646-2018 | 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 29056-2025 | 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |