| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（外文版EN） | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 14142-2017 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 现行 | 2018-04-01 | 找相似 |
| GB/T 14847-2010 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 废止 | 2011-10-01 | 找相似 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2013-10-01 | 找相似 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-10-01 | 找相似 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-09-01 | 找相似 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-07-01 | —— |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-17 | —— |
| YS/T 14-2015 | 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1993-01-01 | 找相似 |